SiHG460B-GE3 datasheet
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>> SiHG460B-GE3 MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SiHG460B-GE3
库存数量:
1422
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
SiHG460B-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
500 V
闸/源击穿电压
20 V
漏极连续电流
20 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
250 mOhms at 10 V
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247 AC
封装
Bulk
相关资料
属性
链接
代理商
SiHG460B-GE3
SIHG47N60E-E3
SIHG47N60EF-GE3
SIHG47N60E-GE3
SIHG47N60S
SIHG47N60S-E3
供应商
公司名
电话
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
上海鑫科润电子科技有限公司
18521007236
鑫科润
深圳市华盛锦科技有限公司
0755-83795896
张先生/雷小姐
深圳市泓宇昇科技有限公司
18718526417
洪继才
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
北京京北通宇电子元件有限公司
18724450645
吴
深圳市科翼源电子有限公司
13510998172
朱小姐
深圳市深创盛科技有限公司
0755-82771301
黄小姐.朱先生.寒小姐
SiHG460B-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
5.548
5.548
10
4.774
47.74
100
3.712
371.2
250
3.312
828
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